IGBT QM50TBH

Описание IGBT QM50TBH

QM50TBH — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных переключающих приложений. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при коммутации и хорошей термостабильностью. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип | IGBT + диод (полумагнитный модуль) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4–6 В |
| Время включения (t_on) | 50 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура хранения/эксплуатации | -40°C … +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полная замена):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG50N60B3 (Fairchild/ON Semiconductor)
• FGA50N60 (Fairchild)
• IXGH50N60B3 (IXYS)

Частично совместимые (требуется проверка схемы):

• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)
• NGTB50N60FL2WG (ON Semiconductor)
• FGH50N60SMD (Fairchild)

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров в конкретной схеме.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!