IGBT QM50TB-24

Описание IGBT QM50TB-24

QM50TB-24 – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных ключевых приложений. Модуль используется в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других системах управления мощностью.

Корпус TO-247 обеспечивает хорошие тепловые характеристики, а встроенный быстрый диод (антипараллельный) способствует эффективной работе в индуктивных цепях.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | NPT IGBT с диодом |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 5,0 В |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Корпус | TO-247 (3 вывода) |
| Диапазон температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS: IXGH50N120B3
• Infineon: IKW50N120T2
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA50N120ANTD
• Toshiba: GT50J122

Совместимые модели в схемах (по характеристикам):

• IRG4PH50UD
• STGW50NC60WD
• MG50Q2YS40

Примечание

Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики в даташите, так как у аналогов могут быть отличия в динамических параметрах и тепловом сопротивлении.

Если вам нужна помощь с подбором аналога для конкретной схемы, уточните параметры (напряжение, ток, частота переключения).