IGBT QM50TB24

Описание IGBT QM50TB24

QM50TB24 — это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных схемах, инверторах, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями. Модуль выполнен в корпусе TO-247, обеспечивающем эффективный теплоотвод.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А |
| Максимальная рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 350 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Тип корпуса | TO-247 |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные и аналогичные модели

• Toshiba: GT50QR21 (1200V, 50A)
• Infineon: IKW50N120T2 (1200V, 50A)
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA50N120ANTDTU (1200V, 50A)
• IXYS: IXGH50N120B3 (1200V, 50A)
• STMicroelectronics: STGW50NC120WD (1200V, 50A)

Совместимые модели (по характеристикам)

• IRG4PH50UD (1200V, 45A)
• HGTG20N120BND (1200V, 40A)
• FGH40N120SMD (1200V, 40A)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями
• Сварочные аппараты

Если требуется точная замена, рекомендуется учитывать параметры V_CES, I_C и тепловые характеристики.