IGBT qm50hb-h

Описание IGBT модуля QM50HB-H

QM50HB-H – это IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor) с интегрированным быстрым диодом, предназначенный для применения в силовой электронике. Модуль обеспечивает высокую эффективность и надежность в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах и других системах управления мощностью.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип модуля | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Номинальный ток коллектора (IC при 25°C) | 50 А |
| Ток коллектора (IC при 80°C) | 25 А |
| Импульсный ток (ICM) | 100 А |
| Мощность рассеивания (PD) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 40 нс |
| Время выключения (toff) | 200 нс |
| Температура эксплуатации | -40°C ... +150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Эквиваленты и совместимые модели

Парт-номера и аналоги:

• IRG4PC50UD (International Rectifier)
• HGTG50N60B3 (Fairchild/ON Semiconductor)
• FGA50N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW50NC60V (STMicroelectronics)
• IXGH50N60B3 (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модели в схемах:

• QM75HB-H (75A, 600V) – более мощная версия
• QM30HB-H (30A, 600V) – менее мощный аналог
• SKM50GB063D (Semikron) – альтернативный модуль

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы для электродвигателей
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Системы управления энергией

Если нужны дополнительные данные (характеристики диода, тепловые параметры и т. д.), уточните запрос!