IGBT QM50HBH

Описание IGBT QM50HBH

IGBT QM50HBH – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных устройствах, таких как:

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочное оборудование
• Системы управления электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Встроенный обратный диод (антипараллельный)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 30 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 25 А) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3 вывода) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полная замена):

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60A4D (Microsemi)
• IXGH50N60B (IXYS)

Частичные аналоги (схожие параметры, но требуют проверки схемы):

• IRG4PC50U (600 В, 55 А)
• STGW50NC60WD (600 В, 50 А)

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнить схему включения и рабочие условия, так как у аналогов могут отличаться динамические характеристики и параметры встроенного диода. Для точного подбора лучше использовать даташиты производителей.

Если нужны более точные аналоги или параметры для конкретного применения – уточните условия работы (частота, ток, температура).