IGBT QM50E3Y-HD

Описание IGBT QM50E3Y-HD

QM50E3Y-HD – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, инверторах, промышленных преобразователях частоты и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает высокой скоростью переключения, низкими потерями проводимости и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип прибора | IGBT + Диод (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Ток коллектора (макс.) | 100 А (импульсный) | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 50 А) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3-выводной) | | Наличие диода обратного хода | Да (интегрированный FRD) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60A4D (Infineon)
• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)

Похожие модели от других производителей:

• IXGH50N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)
• APT50GR120J (Microchip Technology)
• MG50Q1BS41 (Toshiba)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Электроприводы и частотные преобразователи
• Системы управления электродвигателями

Если вам нужны уточнения по спецификациям или дополнительные аналоги, укажите условия эксплуатации (например, высокочастотные приложения или высокие токи).