IGBT QM50E3Y-2H

Описание IGBT QM50E3Y-2H

QM50E3Y-2H – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных преобразователях, инверторах, сварочном оборудовании и промышленных приводах. Модуль имеет низкие потери проводимости и переключения, а также встроенный свободно-колеблющий диод (FRD) для защиты от обратных токов.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-------------------------|----------| | Тип транзистора | NPT IGBT + FRD | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ном. ток коллектора (I_C) | 50 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 100 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2.1 В (при 50 А) | | Время переключения (t_on/t_off) | ~60 нс / ~110 нс | | Температура эксплуатации | от -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3-выводной) | | Встроенный диод | Быстрый восстановительный (FRD) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги:

• QM50E3Y-2H (оригинал)
• QM50E3Y (версия без "2H")

Совместимые модели от других производителей:

• Infineon: IKW50N120T2, IKW50N120H3
• Fuji Electric: 2MBI50U2H-120
• Mitsubishi: CM50E3Y-2H
• STMicroelectronics: STGW50HF60WD

Альтернативные варианты:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• HGTG50N120BN (Fairchild/ON Semiconductor)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Управление электродвигателями
• Солнечные инверторы

Модуль обеспечивает надежность в высоковольтных и сильноточных схемах благодаря низкому уровню шума переключения и высокой термостабильности.

Если требуется точный аналог, рекомендуется сверять параметры V_CES, I_C и корпус. Для замены в критичных системах лучше провести тестирование.