IGBT QM50E2Y-2H

Описание IGBT QM50E2Y-2H

QM50E2Y-2H – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных преобразователях, инверторах и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, а также высокой температурной стабильностью.

Технические характеристики:

• Тип устройства: IGBT модуль (NPT-технология)
• Класс напряжения: 1200 В
• Ток коллектора (Ic): 50 А (при 25°C)
• Ток коллектора (Ic): 25 А (при 100°C)
• Напряжение насыщения (Vce(sat)): 2,2 В (при Ic=50A)
• Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 Вт
• Температура перехода (Tj): от -40°C до +150°C
• Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,5 °C/Вт
• Встроенный диод: Быстрый выпрямительный диод (FRD)
• Корпус: модульный (изолированный)

Парт-номера и аналоги:

Оригинальные аналоги:

• QM50E2Y-2H (оригинал)
• QM50DY-2H (близкий аналог)
• QM75E2Y-2H (75A версия)

Совместимые замены от других производителей:

• Infineon: FGA50N120ANTD
• Fuji Electric: 2MBI50U2H-120
• Mitsubishi: CM50E2Y-2H
• SEMIKRON: SKM50GB12T4
• IXYS: IXGH50N120B3

Применение:

• Промышленные частотные преобразователи
• Сварочные инверторы
• Импульсные источники питания
• Управление электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.