IGBT QM50E2Y2H

IGBT QM50E2Y2H: Описание и технические характеристики

Описание:
IGBT QM50E2Y2H – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных применений, таких как импульсные источники питания, инверторы, сварочное оборудование и системы управления двигателями.

Данный IGBT обладает низкими потерями проводимости и переключения, высокой стойкостью к перегрузкам и устойчивостью к коротким замыканиям. Корпус TO-247 обеспечивает эффективный теплоотвод.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|-------------------------------------|
| Тип транзистора | IGBT (N-канальный) |
| Максимальное напряжение (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 50 А |
| Ток коллектора (I_C) (при 100°C) | 25 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт (при T_c = 25°C) |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при I_C = 50 А) |
| Время включения (t_on) | 55 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | от -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели:

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGH50N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60B3 (Microsemi)
• STGW50H60DF (STMicroelectronics)
• IXGH50N60B3 (IXYS/Littelfuse)

Похожие модели от других производителей:

• Infineon: IKW50N60T
• Toshiba: GT50J325
• Mitsubishi: CM50DY-24H

Применение:

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Преобразователи частоты

Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики вольт-амперных характеристик или данные по тепловому сопротивлению), уточните запрос.