IGBT QM50DY-HB

Описание IGBT QM50DY-HB

QM50DY-HB – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль выполнен в корпусе с изолированным основанием, что обеспечивает эффективный теплоотвод и простой монтаж.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип устройства | IGBT + диод (полумост) |
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Максимальный ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Ток импульсный (I_CP) | 100 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C ~ +150°C |
| Тип корпуса | 23-контактный, изолированный (например, TO-247 или аналогичный) |
| Сопротивление изоляции (R_ISO) | ≥2500 В |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• FGA50N60 (Fairchild)
• IRG4PC50U (International Rectifier)
• HGTG50N60B3 (ON Semiconductor)
• IXGH50N60B3D1 (IXYS)

Совместимые модели (по параметрам):

• STGW50NC60WD (STMicroelectronics)
• APT50GR60J (Microsemi)
• CM50DY-12H (Mitsubishi)

Аналоги в других корпусах:

• IRGP4063DPBF (в TO-247AC)
• IXGH40N60B3D1 (с меньшим током)

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнить распиновку и характеристики, так как корпусные исполнения и параметры могут отличаться. Для точного подбора аналога лучше использовать даташит производителя (Mitsubishi Electric или другого).

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы включения), уточните запрос.