IGBT QM50DY-H

Описание IGBT QM50DY-H

IGBT QM50DY-H – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления нагрузкой в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает в себе высокую скорость переключения и низкие потери проводимости, что делает его пригодным для работы на частотах до нескольких десятков кГц.

Ключевые особенности:

• Встроенный обратный диод (FRD) для защиты от перенапряжений.
• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES).
• Термостойкий корпус с изолированной базой для удобного монтажа на радиатор.
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)).

Технические характеристики

Параметр | Значение
---|---
Макс. напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В
Макс. ток коллектора (IC) | 50 А
Ток импульсный (ICM) | 100 А
Макс. рассеиваемая мощность (PC) | 200 Вт
Падение напряжения (VCE(sat)) | 1.8 В (при IC = 25 А)
Время включения (ton) | 35 нс
Время выключения (toff) | 120 нс
Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode)
Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C
Корпус | TO-247 (изолированный)

Парт-номера и аналоги

Оригинальные парт-номера:

• QM50DY-H (оригинальная маркировка производителя)
• Возможны вариации: QM50DY-H1, QM50DY-H2 (в зависимости от производителя и ревизии).

Совместимые аналоги:

1. IRG4PH50UD (International Rectifier)
2. FGA50N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
3. HGTG50N60 (Microsemi)
4. STGW50H60DF (STMicroelectronics)
5. IXGH50N60 (IXYS)

При замене необходимо учитывать:

• Соответствие по напряжению (VCES ≥ 600 В) и току (IC ≥ 50 А).
• Наличие встроенного диода (если требуется).
• Габариты корпуса и расположение выводов.

Применение

• Преобразователи частоты.
• Сварочные инверторы.
• Импульсные блоки питания (UPS, SMPS).
• Управление электродвигателями.

Для точного подбора аналога рекомендуется проверять даташит производителя и учитывать условия эксплуатации (температура, частота переключений, нагрузка).