IGBT QM50DY24B

Описание IGBT QM50DY24B

QM50DY24B – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, предназначенный для мощных импульсных преобразователей, инверторов, систем управления двигателями и других силовых электронных устройств.

Модуль обладает встроенным быстрым диодом (FRD), что обеспечивает эффективное подавление обратных токов. Применяется в схемах с высоким напряжением и током, где требуется высокая надежность и эффективное охлаждение.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) при 25°C | 50 А |
| Ток коллектора (I_C) при 100°C | 25 А |
| Импульсный ток (I_CM) | 100 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Пороговое напряжение (V_GE(th)) | 5–6 В |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,75 °C/Вт |
| Рабочая температура (T_j) | от -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 |

Встроенный диод (FRD)

• Прямое напряжение (V_F) – 1,7 В (при 25 А)
• Время восстановления (t_rr) – 150 нс

Аналоги и совместимые модели

Прямые замены (полные аналоги)

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N65SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N120BND (Microsemi)

Частично совместимые модели (требуется проверка параметров)

• IXGH50N60B3 (IXYS)
• STGW50H65DFB (STMicroelectronics)
• APT50GR120J (Microchip)

Применение

• Частотные преобразователи
• Инверторы для сварочных аппаратов
• Управление электродвигателями
• ИБП (источники бесперебойного питания)
• Солнечные инверторы

Если требуется более точный подбор аналога, необходимо учитывать параметры схемы (рабочее напряжение, ток, частоту переключений).