IGBT QM50DY24

Описание IGBT QM50DY24

IGBT QM50DY24 – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективных преобразователей энергии. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 50 А |
| Ток коллектора (импульсный, I_CM) | 100 А |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 50 А) |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Скорость переключения | Высокая (оптимизирована для частот до 20 кГц) |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номер и аналоги

Оригинал:

• QM50DY-24 (Mitsubishi)

Совместимые модели и аналоги:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N120B3D (Infineon)
• IXGH50N120B3 (IXYS)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Если вам нужен точный аналог, обратите внимание на параметры V_CES, I_C и V_CE(sat). Для замены в критичных схемах рекомендуется сверять datasheet.

Нужна дополнительная информация?