IGBT QM50DXH

Описание IGBT QM50DXH

QM50DXH — это IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе TO-247, предназначенный для высокоэффективных силовых преобразовательных устройств. Применяется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других промышленных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|-------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 50 А | | Ток коллектора (I_C) (при 100°C) | 25 А | | Мощность рассеивания (P_D) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 50 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3 вывода) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• FGA50N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG50N60 (Microsemi)
• STGW50NC60V (STMicroelectronics)
• IXGH50N60 (IXYS)

Похожие модели от того же производителя:

• QM75DXH (75 А, 600 В)
• QM30DXH (30 А, 600 В)
• QM100DXH (100 А, 600 В)

Примечания

• Перед заменой проверяйте распиновку и параметры, так как у аналогов могут быть отличия в характеристиках.
• Рекомендуется использовать радиатор для эффективного отвода тепла.

Если нужна дополнительная информация по конкретному применению или datasheet, уточните запрос!