IGBT QM30TB-HB

Описание IGBT QM30TB-HB

IGBT QM30TB-HB – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для использования в мощных электронных устройствах, таких как инверторы, преобразователи частоты, сварочное оборудование и системы управления электродвигателями. Этот модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|---------------------------------------| | Тип транзистора | NPT IGBT (Non-Punch Through) | | Конфигурация модуля | Одиночный транзистор с диодом | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Импульсный ток (I_CM) | 60 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.2 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0.45 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Характеристики встроенного диода

• Макс. обратное напряжение (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток (I_F): 30 А
• Прямое падение напряжения (V_F): 1.7 В

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (cross-reference):

• Infineon: IKW30N120T2
• Fuji Electric: 2MBI200U2B-120
• Mitsubishi Electric: CM300DY-24NF
• SEMIKRON: SKM100GB12T4

Совместимые модели (зависит от схемы применения):

• IXYS IXGH30N120B3
• STMicroelectronics STGW30NC120HD
• Toshiba GT30J122

Применение

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужна более точная информация по замене, рекомендуется проверить datasheet конкретного аналога, так как параметры могут незначительно отличаться.