IGBT QM30TBH

Описание и технические характеристики IGBT QM30TBH

Транзистор IGBT QM30TBH – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных переключающих приложений. Используется в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики:

• Тип транзистора: N-канальный IGBT с защитным диодом
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 30 А (при 25°C)
• Ток коллектора импульсный (I_CM): 60 А
• Мощность рассеивания (P_tot): 150 Вт
• Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)): 1,8 В (при I_C = 30 А)
• Время включения (t_on): 30 нс
• Время выключения (t_off): 120 нс
• Температура перехода (T_j): от -55°C до +150°C
• Корпус: TO-247

Встроенный диод:

• Обратное напряжение (V_RRM): 600 В
• Прямой ток (I_F): 30 А

Парт-номера и совместимые модели

Эквиваленты и аналоги:

1. IRG4PH50UD (International Rectifier)
2. FGA30N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
3. HGTG30N60B3 (Microsemi)
4. STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
5. IXGH30N60B3 (IXYS/Littelfuse)

Совместимые модели в разных корпусах:

• TO-247: QM30TBH, IRG4PH50UD, FGA30N60SMD
• TO-264: HGTG30N60B3, STGW30NC60WD
• TO-3P: IXGH30N60B3

Если вам нужен точный аналог, важно учитывать параметры V_CES, I_C и тепловые характеристики.

Нужна дополнительная информация или подбор аналога для конкретного применения?