IGBT QM30TB-9

Описание IGBT QM30TB-9

QM30TB-9 – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других устройствах с высокой коммутационной мощностью.

Этот модуль сочетает в себе высокую эффективность, низкие потери при переключении и хорошую температурную стабильность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | NPT IGBT + диод (полумагнитный модуль) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 900 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) | 60 А (пиковый) | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | ~200 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~1.8 В (при 30 А) | | Время включения (t_on) | ~30 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Диапазон рабочих температур | -40°C … +150°C | | Тип корпуса | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и аналоги

Оригинальные аналоги (производитель: Mitsubishi, Toshiba, Infineon и др.)

• Mitsubishi: CM30TB-9H
• Toshiba: MG30Q2YS40
• Infineon: IRG4PH40UD
• Fuji Electric: 2MBI30T-060

Совместимые модели (по характеристикам)

• IRG4PC40U (International Rectifier)
• HGTG30N60B3 (Microsemi)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Применение

• Инверторы (в т.ч. для сварочных аппаратов)
• Импульсные блоки питания
• Управление двигателями (частотные преобразователи)
• Системы плавного пуска

Если вам нужны конкретные datasheets или аналоги для замены, уточните условия эксплуатации (частота переключений, охлаждение и т. д.).