IGBT QM30TB9

Описание IGBT QM30TB9

QM30TB9 — это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных импульсных схемах, инверторах, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями. Отличается высокой скоростью переключения, низкими потерями проводимости и устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 900 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 60 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 150 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4–6 В | | Время включения (t_on) | 50 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 200 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 (изолированный или нет) | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |

Аналоги и совместимые модели

Парт-номера (альтернативные обозначения и аналоги):

• IRG4PH40UD (International Rectifier, 900 В, 20 А)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semi, 1200 В, 25 А)
• HGTG30N60A4D (ON Semiconductor, 600 В, 30 А)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics, 600 В, 30 А)

Совместимые модели в схожих корпусах:

• QM30TA9 (аналог с другим напряжением)
• QM30TD9 (модификация с улучшенными динамическими параметрами)

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Импульсные источники питания
• Управление двигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров, особенно V_CES и I_C. Некоторые аналоги могут иметь отличия в динамических характеристиках и тепловом сопротивлении.

Нужна дополнительная информация по конкретному аналогу? Уточните условия применения!