IGBT QM30TB-2H

Описание IGBT QM30TB-2H

QM30TB-2H – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT) в корпусе TO-3P(N), предназначенный для высоковольтных и высокотоковых применений, таких как импульсные источники питания, инверторы, двигатели и промышленные преобразователи частоты.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------| | Тип транзистора | NPT IGBT | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 30 A | | Ток коллектора (импульсный, I_CM) | 60 A | | Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 150 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 30 A) | | Время включения (t_on) | 60 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Температура перехода (T_j) | -40…150°C | | Корпус | TO-3P(N) |

Парт-номера и совместимые аналоги

Оригинальные парт-номера:

• QM30TB-2H (оригинальный номер от производителя)

Прямые аналоги:

• GT30Q321 (Toshiba)
• HGTG30N120B3 (Microsemi/ON Semiconductor)
• IRG4PH50UD (Infineon)
• FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semi)

Совместимые модели (по параметрам и корпусу):

• IXGH30N120B3 (IXYS)
• NGTB30N120LWG (ON Semiconductor)
• STGW30NC120HD (STMicroelectronics)

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если требуется более точный подбор аналога, рекомендуется проверять datasheet на соответствие электрическим параметрам и характеристикам платы.