IGBT QM30TB2H

Описание IGBT QM30TB2H

QM30TB2H — это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), разработанный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных преобразователях, инверторах и других силовых электронных устройствах. Модуль обладает низкими потерями при переключении и высокой стойкостью к перегрузкам, что делает его подходящим для промышленного и автомобильного применения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|---------------------------------------| | Тип устройства | IGBT + диод (NPT-технология) | | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Ток импульса (I_CM) | 60 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 150 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.0 В (при I_C=30 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и аналоги

Прямые аналоги (замена без изменений схемы):

• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
• IRG4PC50UD (Infineon)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)

Совместимые модели (требуется проверка параметров):

• HGTG30N60A4D (Renesas)
• NGTB30N60FL2WG (ON Semiconductor)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Электроприводы и сервосистемы

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или условиям эксплуатации, укажите дополнительные параметры!