IGBT QM30TB-24B

Описание IGBT QM30TB-24B

QM30TB-24B – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных переключающих приложений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, системах управления двигателями и других силовых электронных устройствах.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 30 А | | Ток импульсный (I_CM) | 60 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 30 А) | | Время включения (t_on) | 55 нс | | Время выключения (t_off) | 350 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,75 °C/Вт | | Корпус | TO-247 (изолированный) |

Альтернативные парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полная замена):

• FGA30N120 (Fairchild)
• IXGH30N120 (IXYS)
• IRG4PC30UD (Infineon)
• HGTG30N120 (Microsemi)

Частично совместимые модели (требуется проверка параметров):

• IRG4PH40U (Infineon, 1200 В, 40 А)
• GT30J121 (Toshiba, 1200 В, 30 А)
• STGW30NC120HD (STMicroelectronics)

При замене рекомендуется сверять характеристики, особенно V_CE(sat), t_on/t_off и условия охлаждения.

Если нужна дополнительная информация по аналогам или применению — уточните!