IGBT QM30TB1-H

Описание IGBT QM30TB1-H

QM30TB1-H — это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных переключающих приложений. Модуль широко применяется в:

• Инверторах и частотных преобразователях
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Системах управления двигателями
• Промышленных источниках питания

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность благодаря низким потерям при переключении.
• Изолированная конструкция обеспечивает безопасность и удобство монтажа.
• Встроенный диод для защиты от обратного напряжения.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) |
| Ток коллектора импульсный (I_CM) | 60 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 150 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Время включения/выключения (t_on/t_off) | 50 нс / 150 нс |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-3P (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полная замена):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Microsemi)

Частично совместимые модели (требуется проверка параметров):

• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
• IXGH30N60B3D1 (IXYS)
• APT30GR60J (Microchip)

Аналоги в других корпусах:

• IRGP30B60PD1 (TO-247AC, Infineon)
• NGTB30N60S3WG (TO-263, ON Semiconductor)

Примечания

1. Перед заменой проверьте соответствие параметров (особенно V_CES, I_C, и тепловые характеристики).
2. Учитывайте различие в корпусах (TO-3P, TO-247 и др.) при монтаже.

Если нужны дополнительные аналоги или уточнения — укажите сферу применения (например, инверторы, сварочные аппараты и т. д.), чтобы подобрать оптимальную замену.