IGBT QM30TB1-H

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM30TB1-H
Описание IGBT QM30TB1-H
QM30TB1-H — это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных переключающих приложений. Модуль широко применяется в:
- Инверторах и частотных преобразователях
- Источниках бесперебойного питания (ИБП)
- Системах управления двигателями
- Промышленных источниках питания
Ключевые особенности:
- Высокая эффективность благодаря низким потерям при переключении.
- Изолированная конструкция обеспечивает безопасность и удобство монтажа.
- Встроенный диод для защиты от обратного напряжения.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------------------------|----------------------------------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Ток коллектора (IC) | 30 А (при 25°C) |
| Ток коллектора импульсный (ICM) | 60 А |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 150 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1.8 В (тип.) |
| Время включения/выключения (ton/toff) | 50 нс / 150 нс |
| Рабочая температура | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-3P (изолированный) |
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги (полная замена):
- IRG4PH40UD (International Rectifier)
- FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
- HGTG30N60A4D (Microsemi)
Частично совместимые модели (требуется проверка параметров):
- STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
- IXGH30N60B3D1 (IXYS)
- APT30GR60J (Microchip)
Аналоги в других корпусах:
- IRGP30B60PD1 (TO-247AC, Infineon)
- NGTB30N60S3WG (TO-263, ON Semiconductor)
Примечания
- Перед заменой проверьте соответствие параметров (особенно VCES, IC, и тепловые характеристики).
- Учитывайте различие в корпусах (TO-3P, TO-247 и др.) при монтаже.
Если нужны дополнительные аналоги или уточнения — укажите сферу применения (например, инверторы, сварочные аппараты и т. д.), чтобы подобрать оптимальную замену.