IGBT QM30HC-M

Описание IGBT QM30HC-M

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) QM30HC-M – это мощный транзистор, предназначенный для высокоэффективного управления силовыми электронными системами. Он широко применяется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и электроприводах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Быстрое переключение и устойчивость к перегрузкам
• Встроенный диод обратного восстановления

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А |
| Ток импульсный (I_CM) | 60 А |
| Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1.8 В (при 15 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 110 нс |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
| Рабочая температура | -55°C ~ +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PC30U (International Rectifier)
• H30R1202 (Infineon)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (по характеристикам):

• QM30HC-H (версия с улучшенным теплоотводом)
• QM25HC-M (25 А, 600 В)
• QM40HC-M (40 А, 600 В)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Системы управления двигателями

Если вам нужна точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметров.