IGBT QM30HCM

Описание IGBT QM30HCM

QM30HCM – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных переключений в силовой электронике. Модуль обеспечивает эффективное управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других устройствах.

Технические характеристики:

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Ток коллектора (I_C): 30 А (при 25°C)
• Ток коллектора импульсный (I_CM): 60 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 200 Вт
• Напряжение затвор-эмиттер (V_GE): ±20 В
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): 1,5–2,5 В (при I_C = 30 А)
• Время включения (t_on): 50–100 нс
• Время выключения (t_off): 100–200 нс
• Тепловое сопротивление (R_th(j-c)): 0,5 °C/Вт
• Диапазон рабочих температур (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (изолированный или неизолированный вариант)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться по характеристикам, но в большинстве случаев подходят:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Renesas)
• IXGH30N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)
• STGW30H60DF (STMicroelectronics)

Применение:

• Инверторы и частотные приводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Электроприводы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.