IGBT QM30HCM

IGBT QM30HCM
Артикул: 299548

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT QM30HCM

Описание IGBT QM30HCM

QM30HCM – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных переключений в силовой электронике. Модуль обеспечивает эффективное управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других устройствах.

Технические характеристики:

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 600 В
  • Ток коллектора (IC): 30 А (при 25°C)
  • Ток коллектора импульсный (ICM): 60 А
  • Рассеиваемая мощность (Ptot): 200 Вт
  • Напряжение затвор-эмиттер (VGE): ±20 В
  • Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)): 1,5–2,5 В (при IC = 30 А)
  • Время включения (ton): 50–100 нс
  • Время выключения (toff): 100–200 нс
  • Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,5 °C/Вт
  • Диапазон рабочих температур (Tj): -40°C до +150°C
  • Корпус: TO-247 (изолированный или неизолированный вариант)

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены могут отличаться по характеристикам, но в большинстве случаев подходят:

  • IRG4PH40UD (International Rectifier)
  • FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
  • HGTG30N60A4D (Renesas)
  • IXGH30N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)
  • STGW30H60DF (STMicroelectronics)

Применение:

  • Инверторы и частотные приводы
  • Источники бесперебойного питания (ИБП)
  • Сварочные аппараты
  • Импульсные блоки питания
  • Электроприводы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.

Товары из этой же категории