IGBT QM30HCM

Артикул: 299548
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM30HCM
Описание IGBT QM30HCM
QM30HCM – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных переключений в силовой электронике. Модуль обеспечивает эффективное управление мощностью в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании и других устройствах.
Технические характеристики:
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 600 В
- Ток коллектора (IC): 30 А (при 25°C)
- Ток коллектора импульсный (ICM): 60 А
- Рассеиваемая мощность (Ptot): 200 Вт
- Напряжение затвор-эмиттер (VGE): ±20 В
- Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)): 1,5–2,5 В (при IC = 30 А)
- Время включения (ton): 50–100 нс
- Время выключения (toff): 100–200 нс
- Тепловое сопротивление (Rth(j-c)): 0,5 °C/Вт
- Диапазон рабочих температур (Tj): -40°C до +150°C
- Корпус: TO-247 (изолированный или неизолированный вариант)
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены могут отличаться по характеристикам, но в большинстве случаев подходят:
- IRG4PH40UD (International Rectifier)
- FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
- HGTG30N60A4D (Renesas)
- IXGH30N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)
- STGW30H60DF (STMicroelectronics)
Применение:
- Инверторы и частотные приводы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Сварочные аппараты
- Импульсные блоки питания
- Электроприводы
Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.