IGBT QM30HC-H

Описание IGBT QM30HC-H

QM30HC-H – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных коммутационных приложений. Этот компонент широко используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, электроприводах и других силовых электронных системах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|-----------------------------------| | Тип устройства | N-канальный IGBT | | Макс. коллектор-эмиттер напряжение (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Ток коллектора импульсный (I_CM) | 60 А | | Рассеиваемая мощность (P_D) | 160 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 30 А) | | Время включения (t_on) | 35 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены для QM30HC-H могут включать:

Прямые аналоги:

• IRG4PC30U (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Microsemi)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (с проверкой по даташиту):

• IXGH30N60B (IXYS)
• APT30GR60J (Microchip)
• NGTB30N60S3G (ON Semiconductor)

Примечания по замене

При выборе аналога необходимо учитывать:

• Напряжение V_CES (не менее 600 В).
• Ток I_C (рекомендуется ≥30 А).
• Скорость переключения (t_on/t_off).
• Тип корпуса (TO-247 или TO-3P для совместимости по монтажу).

Для точного подбора рекомендуется сверяться с даташитами производителей.

Если нужны дополнительные параметры (тепловое сопротивление, встроенный диод и т. д.), уточните запрос.