IGBT QM30HC2H

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM30HC2H
Описание IGBT QM30HC2H
QM30HC2H – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.
Этот модуль сочетает в себе высокую переключательную способность, низкие потери проводимости и высокую надежность.
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | IGBT + диод (полумодуль) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Ток коллектора (IC) | 30 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (IC) | 60 А (пиковый) |
| Рассеиваемая мощность (PD) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 60 нс |
| Время выключения (toff) | 200 нс |
| Температура перехода (Tj) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |
Аналоги и совместимые модели
Прямые замены (аналоги):
- IRG4PH30U (International Rectifier)
- FGA30N60 (Fairchild/ON Semi)
- HGTG30N60A4D (Microsemi)
- STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
Совместимые модели (схожие параметры):
- IRG4PC30U (600 В, 23 А)
- FGA25N120ANTD (1200 В, 25 А)
- IXGH30N60B3D1 (600 В, 30 А)
Если требуется модуль с более высоким током или напряжением, можно рассмотреть:
- QM50HC2H (50 А, 600 В)
- QM75HC2H (75 А, 600 В)
Применение
- Инверторы и частотные преобразователи
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
- Сварочные аппараты
- Индукционные нагреватели
При замене рекомендуется проверять соответствие характеристик и распиновку.