IGBT QM30HC2H

Описание IGBT QM30HC2H

QM30HC2H – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для применения в импульсных источниках питания, инверторах, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Этот модуль сочетает в себе высокую переключательную способность, низкие потери проводимости и высокую надежность.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | IGBT + диод (полумодуль) |
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) |
| Ток коллектора (I_C) | 60 А (пиковый) |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 200 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Аналоги и совместимые модели

Прямые замены (аналоги):

• IRG4PH30U (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semi)
• HGTG30N60A4D (Microsemi)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели (схожие параметры):

• IRG4PC30U (600 В, 23 А)
• FGA25N120ANTD (1200 В, 25 А)
• IXGH30N60B3D1 (600 В, 30 А)

Если требуется модуль с более высоким током или напряжением, можно рассмотреть:

• QM50HC2H (50 А, 600 В)
• QM75HC2H (75 А, 600 В)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Сварочные аппараты
• Индукционные нагреватели

При замене рекомендуется проверять соответствие характеристик и распиновку.