IGBT QM30HA-H

IGBT QM30HA-H: Описание и технические характеристики

Описание:

IGBT QM30HA-H – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, промышленных приводах и других силовых электронных устройствах. Модуль сочетает высокую скорость переключения, низкие потери проводимости и надежную конструкцию, подходящую для работы в жестких условиях.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT модуль (N-канальный) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 30 А | | Пиковый ток коллектора (I_CM) | 60 А | | Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 200 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 1.8 В (при I_C = 30 А) | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Microsemi)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Совместимые модели в схемах:

• QM30HB-H (более высокая мощность)
• QM25HA-H (аналог с меньшим током)
• IXGH30N60 (IXYS)

Применение:

• Преобразователи частоты
• Индукционные нагреватели
• Сварочные инверторы
• Системы управления электродвигателями

Если требуется уточнение по конкретному аналогу или схеме замены, укажите условия эксплуатации.