IGBT QM30HAH

IGBT QM30HAH: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT (биполярный транзистор с изолированным затвором) QM30HAH — это мощный полупроводниковый прибор, предназначенный для коммутации высоких токов и напряжений. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Модуль QM30HAH относится к N-канальным IGBT и может работать в условиях высоких температур и напряжений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|----------------------------------| | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 60 А | | Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 150 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4–6 В | | Время включения (t_on) | 50 нс | | Время выключения (t_off) | 150 нс | | Корпус | TO-247 (возможны другие варианты) | | Рабочая температура | -40°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (полные замены):

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Microsemi)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Частично совместимые (требуется проверка по даташиту):

• IXGH30N60B (IXYS)
• NGTB30N60S (ON Semiconductor)
• APT30GR60J (Microchip)

Применение

• Силовые инверторы
• Сварочные аппараты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Частотные преобразователи
• Управление электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется сверить параметры с оригинальным даташитом производителя.