IGBT QM30E3Y-H

Описание IGBT QM30E3Y-H

IGBT QM30E3Y-H – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления силовыми электронными системами. Модуль обладает низкими потерями проводимости и переключения, что делает его подходящим для инверторов, частотных преобразователей, сварочного оборудования и других силовых приложений.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Тип транзистора | IGBT + диод (NPT-технология) |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 30 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 60 А |
| Макс. рассеиваемая мощность (P_tot) | 150 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ≤ 2,5 В (при 30 А) |
| Время включения (t_on) | ~50 нс |
| Время выключения (t_off) | ~200 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | ТО-247 (3-выводной) |

Совместимые модели и парт-номера

Прямые аналоги:

• IRG4PC30UD (International Rectifier)
• HGTG30N60A4D (ON Semiconductor)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semi)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Близкие по параметрам (возможна замена с проверкой схемы):

• IXGH30N60B3D (IXYS)
• APT30GR60J (Microsemi)
• NGTB30N60S3WG (ON Semiconductor)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если вам нужен точный аналог, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров в конкретной схеме.