IGBT QM30E3Y-2H

Описание IGBT QM30E3Y-2H

IGBT QM30E3Y-2H – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для силовой электроники. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, импульсных источниках питания и других устройствах, требующих эффективного управления высокими напряжениями и токами.

Отличается высокой скоростью переключения, низкими потерями проводимости и устойчивостью к перегрузкам.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|--------------------------------------| | Тип транзистора | N-канальный IGBT с диодом | | Макс. коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 60 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 100 Вт | | Напряжение затвор-эмиттер (V_GE)| ±20 В | | Пороговое напряжение затвора (V_GE(th)) | 4–6 В | | Время включения (t_on) | 30 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 100 нс (тип.) | | Корпус | TO-247 (изолированный) | | Температура хранения/работы | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналогичные/совместимые модели:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Infineon)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)
• IXGH30N60B3D1 (IXYS/Littelfuse)

Парт-номера от производителей:

• QM30E3Y-2H (оригинал)
• QM30E3Y (без дополнительных модификаций)
• 30E3Y (сокращенное обозначение в некоторых каталогах)

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется проверять распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах и корпусах. Для точного подбора аналога лучше использовать даташиты.

Если нужна дополнительная информация по конкретному применению – уточняйте!