IGBT QM30E3Y2H

IGBT QM30E3Y2H: Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT QM30E3Y2H – это транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, частотных преобразователях, инверторах, сварочных аппаратах и других устройствах с высоким напряжением и током.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери при переключении
• Быстрое переключение
• Встроенный обратный диод (антипараллельный)
• Высокая устойчивость к перегрузкам

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|---------------------------|----------------------------|
| Тип транзистора | IGBT с диодом |
| Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Макс. ток коллектора (I_C) | 30 А |
| Макс. импульсный ток (I_CM) | 60 А |
| Макс. мощность рассеивания (P_tot) | 180 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 30 А) |
| Время включения (t_on) | 35 нс |
| Время выключения (t_off) | 150 нс |
| Корпус | TO-247 (или аналог) |
| Рабочая температура | -55°C ... +150°C |

Парт-номера и аналоги

Оригинальный номер:

• QM30E3Y2H

Прямые аналоги и замены:

• IRG4PH50UD (International Rectifier)
• H30R1202 (Infineon)
• FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semi)
• GT30J321 (Toshiba)

Совместимые модели (по характеристикам):

• FGA25N120ANTD (25 А, 1200 В)
• IXGH30N120B3 (IXYS)
• NGTB30N120LWG (ON Semiconductor)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочные аппараты
• Импульсные блоки питания
• Электроприводы

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять datasheet на соответствие параметров.