IGBT QM30DYH

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM30DYH
Описание IGBT QM30DYH
QM30DYH – это IGBT-транзистор с интегрированным обратным диодом, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных преобразователях, инверторах и других силовых электронных устройствах.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 600 В |
| Ток коллектора (IC) | 30 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (ICM) | 60 А |
| Мощность рассеивания (PD) | 150 Вт |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.1 В (тип.) |
| Время включения (ton) | 60 нс |
| Время выключения (toff) | 120 нс |
| Температура перехода (Tj) | -55°C ~ 150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |
Встроенный диод
- Обратное напряжение (VRRM) – 600 В
- Прямой ток (IF) – 30 А
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и альтернативы:
- Infineon: IKW30N60T, IKW30N60H3
- STMicroelectronics: STGW30NC60WD
- Fuji Electric: 2MBI30U2B-060
- Mitsubishi: CM30DY-24H
- IXYS: IXGH30N60B3D1
Совместимые модели в других линейках:
- IR (Infineon): IRG4PC30UD
- Toshiba: GT30J321
Применение
- Инверторы и частотные преобразователи
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Сварочное оборудование
- Управление электродвигателями
Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметрам.