IGBT QM30DYH

Описание IGBT QM30DYH

QM30DYH – это IGBT-транзистор с интегрированным обратным диодом, предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных преобразователях, инверторах и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 60 А |
| Мощность рассеивания (P_D) | 150 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (тип.) |
| Время включения (t_on) | 60 нс |
| Время выключения (t_off) | 120 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C ~ 150°C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Встроенный диод

• Обратное напряжение (V_RRM) – 600 В
• Прямой ток (I_F) – 30 А

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и альтернативы:

• Infineon: IKW30N60T, IKW30N60H3
• STMicroelectronics: STGW30NC60WD
• Fuji Electric: 2MBI30U2B-060
• Mitsubishi: CM30DY-24H
• IXYS: IXGH30N60B3D1

Совместимые модели в других линейках:

• IR (Infineon): IRG4PC30UD
• Toshiba: GT30J321

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные источники питания (SMPS)
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями

Если требуется более точная замена, рекомендуется проверять даташиты на соответствие параметрам.