IGBT QM30DY2H

Описание IGBT QM30DY2H

QM30DY2H – это изолированный IGBT-модуль (Insulated Gate Bipolar Transistor), предназначенный для высоковольтных и высокочастотных силовых приложений. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при коммутации и хорошей термостабильностью, что делает его востребованным в преобразователях частоты, инверторах, сварочных аппаратах и системах управления двигателями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип модуля | IGBT + диод (2 в 1) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 30 А (при 25°C) | | Пиковый ток (I_CM) | 60 А | | Мощность рассеивания (P_tot) | ~150 Вт (зависит от условий охлаждения) | | Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В | | Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | ~1.8 В (тип.) при 30 А | | Время включения (t_on) | ~35 нс | | Время выключения (t_off) | ~150 нс | | Температурный диапазон | -40°C ... +150°C | | Корпус | Изолированный (с гальванической развязкой) |

Аналоги и совместимые модели

Парт-номера и аналоги:

• Fuji Electric: 2MBI30S-060 (аналог по характеристикам)
• Mitsubishi: CM30DY-12H (600 В, 30 А)
• Infineon: IKW30N60H3 (отдельный IGBT, но с близкими параметрами)
• STMicroelectronics: STGW30NC60WD (аналог по току и напряжению)

Совместимые модели в схемах:

Может заменяться на модули с аналогичными параметрами (600 В, 30 А) от других производителей, но требуется проверка распиновки и характеристик:

• IRG4PH30UD (International Rectifier)
• HGTG30N60A4D (ON Semiconductor)

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы и UPS
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями

Примечание

Перед заменой проверяйте распиновку и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в корпусах и параметрах.

Если нужна более точная информация по конкретному производителю (например, Fuji или Mitsubishi), уточните – возможны дополнительные аналоги.