IGBT QM30DY-24

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM30DY-24
Описание IGBT QM30DY-24
QM30DY-24 – это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных преобразователях, инверторах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями. Модуль имеет встроенный антипараллельный диод, что обеспечивает улучшенные характеристики в схемах с обратной ЭДС.
Основные технические характеристики
| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (VCES) | 1200 В |
| Ток коллектора (IC) при 25°C | 30 А |
| Ток коллектора (IC) при 100°C | 15 А |
| Импульсный ток коллектора (ICP) | 60 А |
| Напряжение насыщения (VCE(sat)) | 2.5 В (при IC = 30 А) |
| Встроенный диод | Да (Fast Recovery Diode) |
| Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot) | 150 Вт |
| Тепловое сопротивление (Rth(j-c)) | 0.83 °C/Вт |
| Диапазон рабочих температур | -40°C ~ +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |
Парт-номера и аналоги
Прямые аналоги:
- IXGH30N120 (IXYS)
- IRG4PH40UD (Infineon)
- HGTG30N120B3D (ON Semiconductor)
Совместимые модели (с проверкой распиновки!):
- FGA30N120ANTD (Fairchild)
- STGW30NC120HD (STMicroelectronics)
- APT30GR120J (Microsemi)
Применение
- Инверторы и частотные преобразователи
- Сварочные аппараты
- Импульсные блоки питания
- Управление электродвигателями
Если требуется модуль с улучшенными параметрами по току или охлаждению, рекомендуется рассмотреть QM50DY-24 (50 А) или QM75DY-24 (75 А).
Для точной замены важно учитывать: напряжение, ток, скорость переключения и тип корпуса.