IGBT QM30DX-H

Описание IGBT QM30DX-H

QM30DX-H — это изолированный биполярный транзистор с MOSFET-затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, электроприводах и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES).
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)).
• Быстрое переключение и низкие потери.
• Встроенный свободно-колебательный диод (FRD) для защиты от обратного напряжения.
• Изолированный корпус, удобный для монтажа на радиатор.

Технические характеристики:

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------| | Макс. напряжение VCES | 600 В | | Ток коллектора IC | 30 А (при 25°C) | | Ток импульсный ICM | 60 А | | Падение VCE(sat) | 1.8 В (при IC = 30 А) | | Время включения ton | 50 нс (тип.) | | Время выключения toff | 150 нс (тип.) | | Тепловое сопротивление | 0.75 °C/Вт (корпус-радиатор)| | Температура хранения | -55°C ... +150°C | | Корпус | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и аналоги:

Оригинальные номера:

• QM30DX-H (основная модель)

Совместимые аналоги:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N60 (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Microsemi)
• STGW30NC60WD (STMicroelectronics)

Применение:

• Инверторы и частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Импульсные блоки питания
• Управление электродвигателями

Если вам нужны дополнительные параметры (например, графики вольт-амперных характеристик), уточните запрос.