IGBT QM30DXH

Описание IGBT QM30DXH

QM30DXH – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, инверторах, частотных преобразователях и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES).
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)).
• Быстрое переключение и низкие динамические потери.
• Встроенный быстрый диод обратного хода.
• Изолированный корпус для удобства монтажа на радиатор.

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-----------------------------|--------------------------------------|
| Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) (при 25°C) | 30 А |
| Ток коллектора импульсный (I_CM) | 60 А |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер (V_CE(sat)) | 1,8 В (при I_C = 30 А) |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Рассеиваемая мощность (P_tot) | 150 Вт |
| Температура перехода (T_j) | -55°C ... +150°C |
| Тепловое сопротивление переход-корпус (R_th(j-c)) | 0,83 °C/Вт |
| Тип корпуса | TO-247 (изолированный) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги и замены:

• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• FGA30N60SMD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG30N60A4D (Renesas)
• STGW30H60DF (STMicroelectronics)

Совместимые модели с близкими параметрами:

• IXGH30N60B3D1 (IXYS)
• APT30GR60J (Microsemi)
• NGTB30N60S3WG (ON Semiconductor)

Применение

• Инверторы и частотные преобразователи
• Импульсные блоки питания (SMPS)
• Сварочные аппараты
• Системы управления электродвигателями

Если требуется точная замена, рекомендуется проверять спецификации производителя, особенно параметры V_CES, I_C и V_CE(sat).

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!