IGBT QM300HHH

Описание IGBT QM300HHH

QM300HHH – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных и силовых преобразовательных устройств. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных системах.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 300 А |
| Максимальный импульсный ток (I_CM) | 600 А |
| Мощность рассеяния (P_tot) | 1000 Вт |
| Напряжение затвор-эмиттер (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 300 А) |
| Время включения (t_on) | 80 нс |
| Время выключения (t_off) | 350 нс |
| Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги (замены):

• IXGH30N120B3 (IXYS)
• FGA30N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• IRG4PH50UD (International Rectifier/Infineon)
• CM300HHH-24H (Mitsubishi)
• BSM300GB120DN2 (SEMIKRON)

Совместимые модули (если QM300HHH входит в состав модуля):

• CM300DY-24H (Mitsubishi)
• SKM300GB128D (SEMIKRON)
• FF300R12KE3 (Infineon)

Примечание

При замене IGBT QM300HHH на аналог необходимо учитывать не только электрические параметры, но и особенности монтажа (тепловые характеристики, изоляция, управляющие цепи). Для точного подбора рекомендуется сверяться с даташитами производителей.

Если нужна дополнительная информация по конкретному применению или аналогам, уточните условия эксплуатации.