IGBT QM300HA-HB

Описание IGBT QM300HA-HB

QM300HA-HB – это высоковольтный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для мощных импульсных и силовых преобразовательных устройств. Применяется в инверторах, сварочных аппаратах, промышленных приводах, системах управления электродвигателями и источниках бесперебойного питания (ИБП).

Ключевые особенности:

• Высокое напряжение коллектор-эмиттер (V_CES)
• Низкое падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat))
• Высокая перегрузочная способность по току
• Быстрое переключение и низкие динамические потери
• Встроенный антипараллельный диод (Fast Recovery Diode)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Напряжение V_CES | 600 В (или 1200 В, уточните версию) |
| Ток коллектора I_C | 300 А (при 25°C) |
| Ток импульсный I_CM | до 600 А |
| Напряжение затвор-эмиттер V_GE | ±20 В |
| Падение напряжения V_CE(sat) | ~1.8–2.5 В (при номинальном токе) |
| Мощность рассеивания P_tot | ~300–500 Вт (зависит от охлаждения) |
| Температура перехода T_j | от -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) или модульный (уточните) |

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам):

• Infineon: IKW75N60T, IKW40N120H3
• Fuji Electric: 2MBI300HA-060
• Mitsubishi: CM300HA-24H
• SEMIKRON: SKM300GB12T4
• IXYS: IXGH30N60B3D1

Совместимые модели (в зависимости от схемы):

• IR (Infineon): IRG4PH50UD
• STMicroelectronics: STGW40H60DF
• Toshiba: GT30J321

Примечание

Уточните точное напряжение (600 В или 1200 В) и корпус, так как маркировка может различаться у производителей. Для замены в критичных схемах рекомендуется проверять datasheet и параметры коммутации.

Если нужны дополнительные данные (графики, параметры диода), укажите – предоставлю подробности.