IGBT QM300HA-HB

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM300HA-HB
Описание IGBT QM300HA-HB
QM300HA-HB – это высоковольтный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для мощных импульсных и силовых преобразовательных устройств. Применяется в инверторах, сварочных аппаратах, промышленных приводах, системах управления электродвигателями и источниках бесперебойного питания (ИБП).
Ключевые особенности:
- Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES)
- Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
- Высокая перегрузочная способность по току
- Быстрое переключение и низкие динамические потери
- Встроенный антипараллельный диод (Fast Recovery Diode)
Технические характеристики
| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Напряжение VCES | 600 В (или 1200 В, уточните версию) |
| Ток коллектора IC | 300 А (при 25°C) |
| Ток импульсный ICM | до 600 А |
| Напряжение затвор-эмиттер VGE | ±20 В |
| Падение напряжения VCE(sat) | ~1.8–2.5 В (при номинальном токе) |
| Мощность рассеивания Ptot | ~300–500 Вт (зависит от охлаждения) |
| Температура перехода Tj | от -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) или модульный (уточните) |
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги (по характеристикам):
- Infineon: IKW75N60T, IKW40N120H3
- Fuji Electric: 2MBI300HA-060
- Mitsubishi: CM300HA-24H
- SEMIKRON: SKM300GB12T4
- IXYS: IXGH30N60B3D1
Совместимые модели (в зависимости от схемы):
- IR (Infineon): IRG4PH50UD
- STMicroelectronics: STGW40H60DF
- Toshiba: GT30J321
Примечание
Уточните точное напряжение (600 В или 1200 В) и корпус, так как маркировка может различаться у производителей. Для замены в критичных схемах рекомендуется проверять datasheet и параметры коммутации.
Если нужны дополнительные данные (графики, параметры диода), укажите – предоставлю подробности.