IGBT QM300HA-HB

IGBT QM300HA-HB
Артикул: 299519

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT QM300HA-HB

Описание IGBT QM300HA-HB

QM300HA-HB – это высоковольтный IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором), разработанный для мощных импульсных и силовых преобразовательных устройств. Применяется в инверторах, сварочных аппаратах, промышленных приводах, системах управления электродвигателями и источниках бесперебойного питания (ИБП).

Ключевые особенности:

  • Высокое напряжение коллектор-эмиттер (VCES)
  • Низкое падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat))
  • Высокая перегрузочная способность по току
  • Быстрое переключение и низкие динамические потери
  • Встроенный антипараллельный диод (Fast Recovery Diode)

Технические характеристики

| Параметр | Значение |
|-------------------------|-----------------------------|
| Напряжение VCES | 600 В (или 1200 В, уточните версию) |
| Ток коллектора IC | 300 А (при 25°C) |
| Ток импульсный ICM | до 600 А |
| Напряжение затвор-эмиттер VGE | ±20 В |
| Падение напряжения VCE(sat) | ~1.8–2.5 В (при номинальном токе) |
| Мощность рассеивания Ptot | ~300–500 Вт (зависит от охлаждения) |
| Температура перехода Tj | от -40°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (3-выводной) или модульный (уточните) |


Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги (по характеристикам):

  • Infineon: IKW75N60T, IKW40N120H3
  • Fuji Electric: 2MBI300HA-060
  • Mitsubishi: CM300HA-24H
  • SEMIKRON: SKM300GB12T4
  • IXYS: IXGH30N60B3D1

Совместимые модели (в зависимости от схемы):

  • IR (Infineon): IRG4PH50UD
  • STMicroelectronics: STGW40H60DF
  • Toshiba: GT30J321

Примечание

Уточните точное напряжение (600 В или 1200 В) и корпус, так как маркировка может различаться у производителей. Для замены в критичных схемах рекомендуется проверять datasheet и параметры коммутации.

Если нужны дополнительные данные (графики, параметры диода), укажите – предоставлю подробности.

Товары из этой же категории