IGBT QM25TB-2H

Артикул: 299505
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM25TB-2H
Описание IGBT QM25TB-2H
QM25TB-2H – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, двигательных приводах и других силовых электронных устройствах. Модуль объединяет IGBT и антипараллельный быстрый диод в одном корпусе, обеспечивая высокую надежность и компактность.
Основные технические характеристики
1. Параметры IGBT
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 600 В
- Номинальный ток коллектора (IC): 25 А (при 25°C)
- Ток коллектора импульсный (ICM): 50 А
- Рассеиваемая мощность (PD): 150 Вт
- Напряжение насыщения (VCE(sat)): 1,8 В (тип.)
- Время включения (ton): 35 нс
- Время выключения (toff): 110 нс
- Температура перехода (Tj): от -40°C до +150°C
2. Параметры диода
- Максимальное обратное напряжение (VRRM): 600 В
- Прямой ток (IF): 25 А
- Прямое падение напряжения (VF): 1,5 В (тип.)
3. Корпус и монтаж
- Тип корпуса: TO-247 (3-выводной)
- Термическое сопротивление (Rth(j-c)): 0,7 °C/Вт
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от других производителей:
- IRG4PH50UD (Infineon)
- FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
- HGTG20N60A4D (STMicroelectronics)
- IXGH25N60B3D1 (IXYS)
Рекомендуемые замены (по параметрам):
- QM30TA-2H (30A, 600V) – более мощная версия
- QM20TB-2H (20A, 600V) – менее мощный аналог
Применение
- Преобразователи частоты
- Инверторы и UPS
- Сварочные аппараты
- Управление электродвигателями
Если требуется точная замена, важно учитывать параметры схемы, особенно токи и тепловой режим.