IGBT QM25TB-2H

IGBT QM25TB-2H
Артикул: 299505

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT QM25TB-2H

Описание IGBT QM25TB-2H

QM25TB-2H – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, двигательных приводах и других силовых электронных устройствах. Модуль объединяет IGBT и антипараллельный быстрый диод в одном корпусе, обеспечивая высокую надежность и компактность.

Основные технические характеристики

1. Параметры IGBT

  • Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 600 В
  • Номинальный ток коллектора (IC): 25 А (при 25°C)
  • Ток коллектора импульсный (ICM): 50 А
  • Рассеиваемая мощность (PD): 150 Вт
  • Напряжение насыщения (VCE(sat)): 1,8 В (тип.)
  • Время включения (ton): 35 нс
  • Время выключения (toff): 110 нс
  • Температура перехода (Tj): от -40°C до +150°C

2. Параметры диода

  • Максимальное обратное напряжение (VRRM): 600 В
  • Прямой ток (IF): 25 А
  • Прямое падение напряжения (VF): 1,5 В (тип.)

3. Корпус и монтаж

  • Тип корпуса: TO-247 (3-выводной)
  • Термическое сопротивление (Rth(j-c)): 0,7 °C/Вт

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

  • IRG4PH50UD (Infineon)
  • FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
  • HGTG20N60A4D (STMicroelectronics)
  • IXGH25N60B3D1 (IXYS)

Рекомендуемые замены (по параметрам):

  • QM30TA-2H (30A, 600V) – более мощная версия
  • QM20TB-2H (20A, 600V) – менее мощный аналог

Применение

  • Преобразователи частоты
  • Инверторы и UPS
  • Сварочные аппараты
  • Управление электродвигателями

Если требуется точная замена, важно учитывать параметры схемы, особенно токи и тепловой режим.

Товары из этой же категории