IGBT QM25TB-2H

Описание IGBT QM25TB-2H

QM25TB-2H – это изолированный биполярный транзистор с затвором (IGBT), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в инверторах, импульсных источниках питания, двигательных приводах и других силовых электронных устройствах. Модуль объединяет IGBT и антипараллельный быстрый диод в одном корпусе, обеспечивая высокую надежность и компактность.

Основные технические характеристики

1. Параметры IGBT

• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 600 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 25 А (при 25°C)
• Ток коллектора импульсный (I_CM): 50 А
• Рассеиваемая мощность (P_D): 150 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 1,8 В (тип.)
• Время включения (t_on): 35 нс
• Время выключения (t_off): 110 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C

2. Параметры диода

• Максимальное обратное напряжение (V_RRM): 600 В
• Прямой ток (I_F): 25 А
• Прямое падение напряжения (V_F): 1,5 В (тип.)

3. Корпус и монтаж

• Тип корпуса: TO-247 (3-выводной)
• Термическое сопротивление (R_th(j-c)): 0,7 °C/Вт

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• IRG4PH50UD (Infineon)
• FGA25N120ANTD (Fairchild/ON Semiconductor)
• HGTG20N60A4D (STMicroelectronics)
• IXGH25N60B3D1 (IXYS)

Рекомендуемые замены (по параметрам):

• QM30TA-2H (30A, 600V) – более мощная версия
• QM20TB-2H (20A, 600V) – менее мощный аналог

Применение

• Преобразователи частоты
• Инверторы и UPS
• Сварочные аппараты
• Управление электродвигателями

Если требуется точная замена, важно учитывать параметры схемы, особенно токи и тепловой режим.