IGBT QM25TB2H

IGBT QM25TB2H: Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT QM25TB2H – это биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в силовой электронике, инверторах, импульсных источниках питания и системах управления двигателями. Данный модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |---------------------------|----------------------------------| | Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Ток коллектора (I_C) при 25°C | 25 А | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | 15 А | | Импульсный ток (I_CM) | 50 А | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,0 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 40 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 180 нс (тип.) | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,75 °C/Вт | | Максимальная температура перехода (T_j) | 150 °C | | Корпус | TO-247 (3 контакта) |

Парт-номера и аналоги

• Прямые аналоги (полные замены):
  • IRG4PH40UD (International Rectifier)
  • HGTG20N120BND (Fairchild/ON Semiconductor)
  • FGA25N120ANTD (Fairchild)
• Частично совместимые модели (с проверкой параметров):
  • IXGH25N120B (IXYS)
  • STGW25H120DF (STMicroelectronics)

Применение

• Инверторы и преобразователи частоты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Системы управления электродвигателями
• Сварочные инверторы
• Импульсные блоки питания

Примечание

Перед заменой на аналог рекомендуется уточнить соответствие характеристик, особенно по напряжению, току и тепловым параметрам.

Если вам нужна дополнительная информация, уточните конкретный аспект применения или параметры.