IGBT QM25TB24B

IGBT QM25TB24B
Артикул: 299501

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT QM25TB24B

Описание IGBT QM25TB24B

QM25TB24B — это изолированный модуль IGBT с диодом обратного восстановления, разработанный для высокоэффективных силовых преобразований. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Модуль включает в себя два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой конфигурации, что упрощает проектирование силовых схем.


Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | Полумостовой IGBT с диодом | | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Номинальный ток IC | 25 А (при 25°C) | | Ток импульса ICP | 50 А (кратковременно) | | Рассеиваемая мощность | 150 Вт | | Напряжение насыщения VCE(sat) | 2.4 В (тип.) | | Время включения td(on) | 35 нс (тип.) | | Время выключения td(off) | 150 нс (тип.) | | Температура эксплуатации | -40°C … +150°C | | Корпус | Изолированный (с гальванической развязкой) | | Монтаж | Винтовое соединение |


Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

  • Infineon: FF25R12RT4
  • Fuji Electric: 2MBI25U-120
  • Mitsubishi: CM25TB-24B
  • Semikron: SKM25GB124D

Совместимые модели с похожими характеристиками:

  • QM30TB24B (30 А, 1200 В)
  • QM20TB24B (20 А, 1200 В)
  • IRG4PH40UD (International Rectifier)
  • STGW30H120DF (STMicroelectronics)

Примечания

  1. Перед заменой проверьте распиновку и параметры, так как у аналогов могут быть отличия в характеристиках.
  2. Рекомендуется использовать радиатор для эффективного охлаждения.
  3. Для точного подбора аналога обратитесь к даташиту производителя (например, Toshiba, если это оригинальный модуль).

Если нужна дополнительная информация (даташит, схемы включения), уточните!

Товары из этой же категории