IGBT QM25TB24B

тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM25TB24B
Описание IGBT QM25TB24B
QM25TB24B — это изолированный модуль IGBT с диодом обратного восстановления, разработанный для высокоэффективных силовых преобразований. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.
Модуль включает в себя два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой конфигурации, что упрощает проектирование силовых схем.
Технические характеристики
| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | Полумостовой IGBT с диодом | | Макс. напряжение VCES | 1200 В | | Номинальный ток IC | 25 А (при 25°C) | | Ток импульса ICP | 50 А (кратковременно) | | Рассеиваемая мощность | 150 Вт | | Напряжение насыщения VCE(sat) | 2.4 В (тип.) | | Время включения td(on) | 35 нс (тип.) | | Время выключения td(off) | 150 нс (тип.) | | Температура эксплуатации | -40°C … +150°C | | Корпус | Изолированный (с гальванической развязкой) | | Монтаж | Винтовое соединение |
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги и замены:
- Infineon: FF25R12RT4
- Fuji Electric: 2MBI25U-120
- Mitsubishi: CM25TB-24B
- Semikron: SKM25GB124D
Совместимые модели с похожими характеристиками:
- QM30TB24B (30 А, 1200 В)
- QM20TB24B (20 А, 1200 В)
- IRG4PH40UD (International Rectifier)
- STGW30H120DF (STMicroelectronics)
Примечания
- Перед заменой проверьте распиновку и параметры, так как у аналогов могут быть отличия в характеристиках.
- Рекомендуется использовать радиатор для эффективного охлаждения.
- Для точного подбора аналога обратитесь к даташиту производителя (например, Toshiba, если это оригинальный модуль).
Если нужна дополнительная информация (даташит, схемы включения), уточните!