IGBT QM25TB24B

Описание IGBT QM25TB24B

QM25TB24B — это изолированный модуль IGBT с диодом обратного восстановления, разработанный для высокоэффективных силовых преобразований. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Модуль включает в себя два IGBT-транзистора с антипараллельными диодами в полумостовой конфигурации, что упрощает проектирование силовых схем.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|-----------------------------------| | Тип модуля | Полумостовой IGBT с диодом | | Макс. напряжение V_CES | 1200 В | | Номинальный ток I_C | 25 А (при 25°C) | | Ток импульса I_CP | 50 А (кратковременно) | | Рассеиваемая мощность | 150 Вт | | Напряжение насыщения V_CE(sat) | 2.4 В (тип.) | | Время включения t_d(on) | 35 нс (тип.) | | Время выключения t_d(off) | 150 нс (тип.) | | Температура эксплуатации | -40°C … +150°C | | Корпус | Изолированный (с гальванической развязкой) | | Монтаж | Винтовое соединение |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF25R12RT4
• Fuji Electric: 2MBI25U-120
• Mitsubishi: CM25TB-24B
• Semikron: SKM25GB124D

Совместимые модели с похожими характеристиками:

• QM30TB24B (30 А, 1200 В)
• QM20TB24B (20 А, 1200 В)
• IRG4PH40UD (International Rectifier)
• STGW30H120DF (STMicroelectronics)

Примечания

1. Перед заменой проверьте распиновку и параметры, так как у аналогов могут быть отличия в характеристиках.
2. Рекомендуется использовать радиатор для эффективного охлаждения.
3. Для точного подбора аналога обратитесь к даташиту производителя (например, Toshiba, если это оригинальный модуль).

Если нужна дополнительная информация (даташит, схемы включения), уточните!