IGBT QM200HH-H

IGBT QM200HH-H: Описание и технические характеристики

Общее описание

IGBT QM200HH-H — это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для применения в мощных инверторах, импульсных источниках питания, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Ключевые особенности:

• Высокая эффективность и низкие потери проводимости.
• Быстрое переключение и устойчивость к перегрузкам.
• Встроенный обратный диод (FWD) для защиты от обратных токов.
• Корпус с высокой теплоотдачей для работы в жестких условиях.

Технические характеристики

Основные параметры:

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 600 В |
| Ток коллектора (I_C) | 200 А |
| Импульсный ток (I_CP) | 400 А |
| Мощность (P_tot) | 1000 Вт |
| Напряжение затвора (V_GE) | ±20 В |
| Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)) | 2,5 В (при I_C = 200 А) |
| Время включения (t_on) | 100 нс |
| Время выключения (t_off) | 300 нс |
| Рабочая температура | -40 °C ... +150 °C |
| Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Встроенный обратный диод (FWD):

| Параметр | Значение |
|----------|----------|
| Макс. обратное напряжение (V_RRM) | 600 В |
| Прямой ток (I_F) | 200 А |
| Падение напряжения (V_F) | 1,8 В |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: IKW40N60H3, IKW75N60T
• Fuji Electric: 2MBI200U4H-060
• Mitsubishi: CM200DY-24NFH
• STMicroelectronics: STGW200H60DF
• Toshiba: MG200Q2YS40

Похожие модели в линейке QM:

• QM100HH-H (100 А, 600 В)
• QM300HH-H (300 А, 600 В)
• QM200DY-H (200 А, 1200 В)

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочные аппараты
• Электроприводы и ЧПУ
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Солнечные инверторы

Если требуется точный аналог, рекомендуется проверять datasheet и условия работы, так как параметры могут отличаться.

Нужна дополнительная информация? Готов помочь!