IGBT QM200HHH

Описание IGBT QM200HHH

IGBT QM200HHH — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокотоковых применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

• Тип: NPT IGBT (Non-Punch Through)
• Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Ток коллектора (I_C): 200 А (при 25°C)
• Импульсный ток (I_CM): 400 А
• Рассеиваемая мощность (P_tot): 600 Вт
• Напряжение насыщения (V_CE(sat)): 2,5 В (при I_C = 200 А)
• Время включения (t_on): 55 нс
• Время выключения (t_off): 350 нс
• Температура перехода (T_j): -40°C до +150°C
• Корпус: TO-247 (3-выводной)

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

• IXGH24N120A (1200V, 24A, TO-247)
• HGTG20N120BND (1200V, 20A, TO-247)
• IRG4PH50UD (1200V, 45A, TO-247AC)
• FF200R12KT3 (1200V, 200A, модуль)

Совместимые модели в схемах:

• FGA25N120ANTD (1200V, 25A, TO-3P)
• STGW30H120DF3 (1200V, 30A, TO-247)
• APT50GR120J (1200V, 50A, TO-247)

Примечание

При замене аналогами необходимо учитывать параметры тока, напряжения и тепловые характеристики. Для мощных инверторов рекомендуется использовать оригинальные модули (например, FF200R12KT3) или проверенные аналоги с похожими характеристиками.

Если вам нужны более точные данные по конкретному применению, уточните схему и условия эксплуатации.