IGBT QM200HHH

Артикул: 299492
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM200HHH
Описание IGBT QM200HHH
IGBT QM200HHH — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокотоковых применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.
Основные технические характеристики
- Тип: NPT IGBT (Non-Punch Through)
- Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Ток коллектора (IC): 200 А (при 25°C)
- Импульсный ток (ICM): 400 А
- Рассеиваемая мощность (Ptot): 600 Вт
- Напряжение насыщения (VCE(sat)): 2,5 В (при IC = 200 А)
- Время включения (ton): 55 нс
- Время выключения (toff): 350 нс
- Температура перехода (Tj): -40°C до +150°C
- Корпус: TO-247 (3-выводной)
Парт-номера и совместимые модели
Прямые аналоги:
- IXGH24N120A (1200V, 24A, TO-247)
- HGTG20N120BND (1200V, 20A, TO-247)
- IRG4PH50UD (1200V, 45A, TO-247AC)
- FF200R12KT3 (1200V, 200A, модуль)
Совместимые модели в схемах:
- FGA25N120ANTD (1200V, 25A, TO-3P)
- STGW30H120DF3 (1200V, 30A, TO-247)
- APT50GR120J (1200V, 50A, TO-247)
Примечание
При замене аналогами необходимо учитывать параметры тока, напряжения и тепловые характеристики. Для мощных инверторов рекомендуется использовать оригинальные модули (например, FF200R12KT3) или проверенные аналоги с похожими характеристиками.
Если вам нужны более точные данные по конкретному применению, уточните схему и условия эксплуатации.