IGBT QM200HHH

IGBT QM200HHH
Артикул: 299492

Требуется установка или ремонт?

сервисный центр Kypidetali!

тел. +7(499)347-04-82

Описание IGBT QM200HHH

Описание IGBT QM200HHH

IGBT QM200HHH — это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и высокотоковых применений. Используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики

  • Тип: NPT IGBT (Non-Punch Through)
  • Напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
  • Ток коллектора (IC): 200 А (при 25°C)
  • Импульсный ток (ICM): 400 А
  • Рассеиваемая мощность (Ptot): 600 Вт
  • Напряжение насыщения (VCE(sat)): 2,5 В (при IC = 200 А)
  • Время включения (ton): 55 нс
  • Время выключения (toff): 350 нс
  • Температура перехода (Tj): -40°C до +150°C
  • Корпус: TO-247 (3-выводной)

Парт-номера и совместимые модели

Прямые аналоги:

  • IXGH24N120A (1200V, 24A, TO-247)
  • HGTG20N120BND (1200V, 20A, TO-247)
  • IRG4PH50UD (1200V, 45A, TO-247AC)
  • FF200R12KT3 (1200V, 200A, модуль)

Совместимые модели в схемах:

  • FGA25N120ANTD (1200V, 25A, TO-3P)
  • STGW30H120DF3 (1200V, 30A, TO-247)
  • APT50GR120J (1200V, 50A, TO-247)

Примечание

При замене аналогами необходимо учитывать параметры тока, напряжения и тепловые характеристики. Для мощных инверторов рекомендуется использовать оригинальные модули (например, FF200R12KT3) или проверенные аналоги с похожими характеристиками.

Если вам нужны более точные данные по конкретному применению, уточните схему и условия эксплуатации.

Товары из этой же категории