IGBT QM200HAHK

Артикул: 299490
Требуется установка или ремонт?
тел. +7(499)347-04-82
Описание IGBT QM200HAHK
Описание IGBT QM200HAHK
QM200HAHK — это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных и силовых приложений. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей устойчивостью к перегрузкам. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.
Технические характеристики
Основные параметры:
- Тип устройства: IGBT-модуль (NPT, trench-gate)
- Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (VCES): 1200 В
- Номинальный ток коллектора (IC): 200 А
- Ток коллектора при импульсном режиме (ICM): до 400 А
- Мощность рассеивания (Ptot): ~600 Вт (зависит от условий охлаждения)
- Падение напряжения в открытом состоянии (VCE(sat)): ~2,0 В (при IC = 200 А)
- Время включения (ton): ~60 нс
- Время выключения (toff): ~120 нс
- Температура перехода (Tj): от -40°C до +150°C
- Температура хранения: от -40°C до +125°C
- Тип корпуса: модуль с изолированным основанием (обычно TO-247 или аналогичный)
Встроенный диод:
- Напряжение обратного диода (VRRM): 1200 В
- Прямой ток диода (IF): до 200 А
Парт-номера и совместимые модели
Аналоги от других производителей:
- Infineon: FF200R12KE3
- Mitsubishi: CM200HA-24H
- Fuji Electric: 2MBI200HA-120
- SEMIKRON: SKM200GB12T4
Частичные замены (с проверкой параметров):
- STMicroelectronics: STGW200H120DF2
- ON Semiconductor: NGTB200N120IHR
Применение
- Силовые инверторы
- Частотные преобразователи
- Сварочное оборудование
- Промышленные электроприводы
- Источники бесперебойного питания (ИБП)
Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните модель производителя или datasheet.