IGBT QM200HAHK

Описание IGBT QM200HAHK

QM200HAHK — это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для мощных импульсных и силовых приложений. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и хорошей устойчивостью к перегрузкам. Применяется в инверторах, частотных преобразователях, сварочных аппаратах, промышленных приводах и системах управления электродвигателями.

Технические характеристики

Основные параметры:

• Тип устройства: IGBT-модуль (NPT, trench-gate)
• Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (V_CES): 1200 В
• Номинальный ток коллектора (I_C): 200 А
• Ток коллектора при импульсном режиме (I_CM): до 400 А
• Мощность рассеивания (P_tot): ~600 Вт (зависит от условий охлаждения)
• Падение напряжения в открытом состоянии (V_CE(sat)): ~2,0 В (при I_C = 200 А)
• Время включения (t_on): ~60 нс
• Время выключения (t_off): ~120 нс
• Температура перехода (T_j): от -40°C до +150°C
• Температура хранения: от -40°C до +125°C
• Тип корпуса: модуль с изолированным основанием (обычно TO-247 или аналогичный)

Встроенный диод:

• Напряжение обратного диода (V_RRM): 1200 В
• Прямой ток диода (I_F): до 200 А

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги от других производителей:

• Infineon: FF200R12KE3
• Mitsubishi: CM200HA-24H
• Fuji Electric: 2MBI200HA-120
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Частичные замены (с проверкой параметров):

• STMicroelectronics: STGW200H120DF2
• ON Semiconductor: NGTB200N120IHR

Применение

• Силовые инверторы
• Частотные преобразователи
• Сварочное оборудование
• Промышленные электроприводы
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если вам нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните модель производителя или datasheet.