IGBT QM200HA-H

Описание IGBT QM200HA-H

IGBT QM200HA-H – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных и инверторных применений. Модуль обладает высокой стойкостью к перегрузкам, низкими потерями при переключении и высокой эффективностью.

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |--------------------------|----------------------------------| | Тип устройства | IGBT-модуль (NPT-технология) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 200 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 400 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при 200 А) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 200 нс | | Температура хранения/работы | -40°C ... +150°C | | Корпус | TO-264 (или аналогичный) | | Конфигурация | Одиночный IGBT с антипараллельным диодом |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• IXYS IXGH200N120B3
• Infineon IKW200N120T2
• Fuji Electric 2MBI200U4A-120
• Mitsubishi CM200HA-24H
• Semikron SKM200GB125D

Совместимые модули в схемах:

• Инверторы и ЧПУ: FS200R12KE3, CM200DY-24H
• Сварочные аппараты: QM200DY-H, SKM200GB128D
• Импульсные блоки питания: IXGN200N120B3

Применение

• Промышленные инверторы
• Сварочное оборудование
• Управление электродвигателями
• Источники бесперебойного питания (ИБП)

Если нужны дополнительные аналоги или параметры, уточните условия эксплуатации!