IGBT QM200HAH

IGBT QM200HAH: Описание и технические характеристики

Описание

IGBT QM200HAH – это мощный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для применения в высоковольтных и сильноточных цепях. Используется в инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании, частотных преобразователях и системах управления электродвигателями.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |------------------------------|-----------------------------------| | Тип транзистора | NPT IGBT (Non-Punch-Through) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 400 А | | Макс. рассеиваемая мощность (P_D) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2,5 В (при 200 А) | | Время включения (t_on) | 80 нс | | Время выключения (t_off) | 400 нс | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (3-контактный) |

Парт-номера и совместимые модели

IGBT QM200HAH может иметь аналоги и замены от других производителей:

• Infineon: IHW20N120R3, IKW20N120H3
• Fuji Electric: 2MBI200HA-120
• Mitsubishi: CM200HA-24H
• SEMIKRON: SKM200GB12T4

Применение

• Преобразователи частоты
• Сварочные инверторы
• Индукционные нагреватели
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Управление электродвигателями

Примечание

Перед заменой рекомендуется уточнять распиновку и параметры, так как разные производители могут использовать отличающиеся характеристики.

Если вам нужны дополнительные данные (графики, таблицы), уточните запрос.