IGBT QM200DY-HB

Описание IGBT QM200DY-HB

QM200DY-HB – это мощный транзистор с изолированным затвором (IGBT), разработанный для высоковольтных и сильноточных приложений. Он используется в инверторах, частотных преобразователях, сварочном оборудовании, импульсных источниках питания и других системах управления мощностью.

Основные технические характеристики

| Параметр | Значение | |-----------------------------|----------------------------------| | Тип транзистора | IGBT с диодом обратного хода (Co-Pack) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Номинальный ток коллектора (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Ток коллектора (I_C) при 100°C | ~120 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 400 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | ~2,1 В (при I_C = 200 А) | | Время включения (t_on) | ~80 нс | | Время выключения (t_off) | ~300 нс | | Тепловое сопротивление (R_th(j-c)) | 0,12 °C/Вт | | Корпус | TO-264 (аналогичен TO-3P) | | Диапазон рабочих температур | -55°C до +150°C |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Fuji Electric: 2MBI200U4B-120
• Infineon: FF200R12KE3
• Mitsubishi: CM200DY-24A
• SEMIKRON: SKM200GB128D

Похожие модели от других производителей:

• IXYS: IXGH200N120B3
• Toshiba: MG200Q2YS40
• STMicroelectronics: STGW200HF120S

Примечания

• QM200DY-HB часто используется в мощных инверторах и промышленных преобразователях.
• При замене на аналог важно учитывать параметры V_CES, I_C и тепловые характеристики.
• Для корректной работы требуется эффективное охлаждение (радиатор + термопаста).

Если нужны дополнительные данные (графики, схемы подключения), уточните запрос.