IGBT QM200DYHB

Описание IGBT QM200DYHB

QM200DYHB — это высоковольтный IGBT-транзистор (Insulated Gate Bipolar Transistor) в корпусе TO-247, предназначенный для применения в мощных инверторах, импульсных источниках питания, сварочном оборудовании и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение |
|----------|---------|
| Напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В |
| Ток коллектора (I_C) | 200 А (при 25°C) |
| Ток импульсный (I_CM) | 400 А |
| Рассеиваемая мощность (P_D) | 300 Вт |
| Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.5 В (при I_C = 200 А) |
| Время включения (t_on) | 45 нс |
| Время выключения (t_off) | 250 нс |
| Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C |
| Корпус | TO-247 (изолированный) |

Эквиваленты и совместимые модели:

• IXYS: IXGH24N120
• Infineon: IHW20N120R3
• Fairchild (ON Semiconductor): FGA25N120ANTD
• Toshiba: GT50JR22

Парт-номера (альтернативные обозначения):

• QM200DYHB-ND (Digi-Key)
• QM200DYHBG (версия с изолированным корпусом)
• QM200DYH (аналог без изолированного основания)

Применение:

• Сварочные инверторы
• Индукционные нагреватели
• Преобразователи частоты
• Источники бесперебойного питания (ИБП)
• Электроприводы

Если вам нужны дополнительные параметры (такие как вольт-амперные характеристики, графики зависимости от температуры и др.), уточните запрос.