IGBT QM200DYH

Описание IGBT QM200DYH

IGBT QM200DYH – это высоковольтный биполярный транзистор с изолированным затвором (IGBT), предназначенный для мощных импульсных и инверторных применений. Модуль обладает высокой эффективностью, низкими потерями при переключении и высокой устойчивостью к перегрузкам. Часто используется в:

• Промышленных инверторах
• Сварочных аппаратах
• Управлении электродвигателями
• Источниках бесперебойного питания (ИБП)
• Системах возобновляемой энергетики

Технические характеристики

| Параметр | Значение | |----------------------------|--------------| | Тип устройства | IGBT модуль (NPT, Trench Gate) | | Макс. напряжение коллектор-эмиттер (V_CES) | 1200 В | | Макс. ток коллектора (I_C) при 25°C | 200 А | | Макс. импульсный ток (I_CM) | 400 А | | Рассеиваемая мощность (P_tot) | 600 Вт | | Напряжение насыщения (V_CE(sat)) | 2.1 В (при I_C = 200 А) | | Температура перехода (T_j) | -40°C до +150°C | | Корпус | 6-выводной (обычно TO-247 или аналогичный) | | Встроенный диод | Да (быстрый обратный диод) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

1. Infineon: FF200R12KE3, FF200R12KT3
2. Mitsubishi: CM200DY-24A, CM200DY-12NF
3. Fuji Electric: 2MBI200U4B-120
4. Semikron: SKM200GB12T4
5. IXYS: MIXA200W1200T

Совместимые модели в схожих корпусах и характеристиках:

• IRG4PH40UD (International Rectifier) – 1200V, 40A (менее мощный аналог)
• HGTG20N120BND (Fairchild) – 1200V, 40A (дискретный IGBT)
• FGA25N120ANTD (ON Semiconductor) – 1200V, 25A

Примечание по замене

При подборе аналога учитывайте:

• Рабочее напряжение и ток
• Наличие встроенного диода
• Тип корпуса и схему подключения
• Тепловые характеристики

Если требуется точная замена, рекомендуется сверяться с даташитами производителей.