IGBT QM200DY2HB

Описание IGBT QM200DY2HB

QM200DY2HB – это IGBT-транзистор (биполярный транзистор с изолированным затвором) в корпусе Dual (2 in 1), предназначенный для высокоэффективного управления мощностью в импульсных источниках питания, инверторах, системах управления электродвигателями и других силовых электронных устройствах.

Основные технические характеристики:

| Параметр | Значение | |-------------------------|-----------------------------| | Тип транзистора | IGBT (N-канальный) + диод | | Конфигурация | Dual (2 в 1) | | Макс. напряжение (V_CES) | 600 В | | Макс. ток (I_C) | 200 А (при 25°C) | | Ток импульса (I_CP) | 400 А (кратковременно) | | Мощность (P_tot) | 600 Вт | | Падение напряжения (V_CE(sat)) | 1,8 В (тип.) | | Время включения (t_on) | 35 нс (тип.) | | Время выключения (t_off) | 150 нс (тип.) | | Температура перехода (T_j) | -55°C до +150°C | | Корпус | TO-247 (или аналогичный) |

Парт-номера и совместимые модели

Аналоги и замены:

• Infineon: FF200R06KE3, FF200R06KE3G
• Fuji Electric: 2MBI200UB-060
• Mitsubishi: CM200DY-24NFH
• SEMIKRON: SKM200GB066D
• IXYS: IXGN200N60B3

Прямые аналоги по параметрам:

• QM200DY2H (предыдущая версия)
• QM300DY2HB (300 А, 600 В)

Применение:

• Преобразователи частоты (ЧРП)
• Инверторы для сварочных аппаратов
• Управление электродвигателями
• Импульсные источники питания (SMPS)

Примечание:

Перед заменой рекомендуется проверять разводку выводов (pinout) и характеристики, так как у разных производителей могут быть отличия в параметрах включения/выключения и тепловых характеристиках.

Если вам нужна дополнительная информация по конкретному аналогу или схеме применения – уточните запрос!